1101 实验继续 (第3/3页)
站在角落的观察位置，手心全是汗，护目镜已经因为升腾得体温有些模糊。
但与此同时，他的心头涌动出一股难以自持的，属于团体为了同一个目标奋进的热切感。
休明看着江南挺拔的背影，看着不同国籍的科学家们立刻响应江南的指令，为了同一个目标全力以赴，越发理解了钱知行之前说的话。
只要江南站在这里，他就是光，就能源源不断吸引所有为科研奋斗的学者们。
不管他们来自哪里——这就是独属于江南的人格魅力。
“模型出来了——”汤姆的声音忽然响起，语气无比紧绷。
“最可能的原因是腔内残余氧气浓度略高于预期，导致硅烷氧化反应提前触发。”
“给我解决方案——”江南说。
“提高惰性气体冲洗速率，同时微调温度曲线，让主反应在氧化层形成前覆盖整个基板表面。但这需要重新计算整个温度场分布，我们的时间明显不够。”
瑞恩突然抬头：“不，不一定需要重新计算全部——”
所有人的目光立刻聚集。
这位曾在德国深造多年的专家在主控台前，指着一组数据肃声道。
“你们看这里——氧化反应虽然提前，但只在表层形成极薄的非晶硅层。如果我们不试图消除它而是利用它呢？”
江南眼睛发亮：“说下去。”
“非晶硅层可以作为缓冲，如果我们控制后续晶体生长速率，让单晶硅在非晶层上外延生长，反而可能获得更好的界面特性。”
瑞恩越说越快，眼睛越来越亮。
“这样我们就不需要调整整个实验温度场，只需要在第二阶段将升温速率提高到11%，并在第三阶段延长退火时间至少34秒，这是完全有可能做到的!!”